异步快速Async Fast
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异步快速存储器芯片(Async Fast SRAM)异步快速存储器芯片(Async Fast SRAM)

一般来说单片机MCU会采用异步静态岁级存储器,
另外有些以并行方式接口的模拟/数字I/O器件,如A/D、D/A、开入/开出等,也会采用异步静态随机存储器,
静态随机存储器比DRAM快些,并依赖于CPU的时钟,
存取速度有12ns、15ns和18ns三种,值越小,表示存取数据的速度越快。
Lyontek来扬科技股份有限公司( Lyontek Inc.)专长于静态随机存取记忆体Asynchronous SRAM(低功耗SRAM 及 高速 SRAM)之产品,,以下产品是为异步快速存储器芯片简称为:Async Fast SRAM,速度一般在8/10/15ns,电压范围在1.65V~5V,可以满足大部分应用的电压设计,NETSOL品牌的容量大小高达32Mbit,相对Lyontek产品容量较大,如需要容量较大的应用设计,可以采取NETSOL品牌的产品。
型号 容量 电压(V) 位宽 速度 (ns) Isb 操作温度 封装 PDF
LY61L20498A 16Mb 3.3V 2M × 8 10 4.0mA(typ) C/I 54 TSOP II 联系我们
LY61L20498A 16Mb 3.3V 2M × 8 10 4.0mA(typ) C/I 48 BGA 联系我们
LY61L20508A 16Mb 3.3V 2M × 8 10 4.0mA(typ) C/I 44 TSOP II 联系我们
LY61L20508A 16Mb 3.3V 2M × 8 10 4.0mA(typ) C/I 48 BGA 联系我们
LY61L102416A 16Mb 1.8~3.3V 1M × 16 10/12 4.0mA(typ) C/I 48 TSOP I 联系我们
LY61L102416A 16Mb 1.8~3.3V 1M × 16 10/12 4.0mA(typ) C/I 48 BGA 联系我们
LY61L102516A 16Mb 3.3V 1M × 16 10 4.0mA(typ) C/I 54 TSOP II 联系我们
LY61L10248A 8Mb 3.3V 1M × 8 8/10 3.0mA(typ) C/I 44 TSOP II 联系我们
LY61L10248A 8Mb 3.3V 1M × 8 8/10 3.0mA(typ) C/I 48 BGA 联系我们
LY61L10268A 8Mb 3.3V 1M × 8 8/10 3.0mA(typ) C/I 48 BGA 联系我们
LY61L51216A 8Mb 3.3V 512K × 16 8/10 3.0mA(typ) C/I