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国内首次实现晶圆级亚百纳米ST-MRAM存储器件制备
STT代表旋转传递扭矩。在STT-MRAM器件中，电子的自旋使用自旋极化电流翻转。这种效果是在磁性隧道结（MTJ）或自旋阀中实现的，STT-MRAM设备使用STT隧道结（STT-MTJ）。
2020-06-22
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不同类别存储器基本原理
存储器分为易失性存储器和非易失性存储器。易失性存储器分SRAM和DRAM；非易失性存储器以Nor-flash和Nand-flash为典型代表。
2020-06-18
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串口SRAM和并口SRAM的区别
首先来看一下并口和串口的区别：引脚的区别：并口SRAM引脚很多，串口SRAM引脚很少。大部分SRAM是并口（parallel）操作的，也有少部分奇葩是
2020-06-16
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外扩SRAM ISSI代理商IS62WV102416EBLL
IS62WV102416EBLL是低功耗16M位静态RAM，以1024Kx16位组织。它采用的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合，
2020-06-12
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武汉新芯50nm高性能SPI Nor Flash
武汉新芯一家领先的非易失性存储供应商，宣布其采用50nm Floating Gate工艺SPI Nor Flash宽电压产品系列XM25QWxxC全线量产，产品容量覆
2020-06-10
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MRAM可以替代NOR或SRAM
内存在人工智能解决方案（例如机器学习）的培训和实施中均扮演着关键角色。这也是创建诸如5G之类的高级网络技术的要求，这将需要在网络边缘
2020-06-08
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