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三星1z纳米EUV制程DRAM规格曝光
韩国三星近期积极将极紫外（EUV）曝光技术应用在采用1z纳米制程的DRAM记忆体生产上，并且完成了量产。而根据半导体分析机构《TechInsights
2021-02-23
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记录数据无限期保留是MRAM理想的选择
数据记录、物联网节点、边缘计算设备中的机器学习 人工智能以及医院中的RFID标签都可以用到MRAM。数据记录器需要多兆位的非易失性存储器来
2021-02-20
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NAND Flash wafer第一季合约价将止跌回稳
近两周以来，主要由于笔电需求仍持续增加，PC OEM对供应商进一步积极要求加单client SSD，造成NandFlash需求同步增温。除此之外上游供应
2021-02-07
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Everspin MRAM非易失性存储器的五大优势
说了这么多MRAM在结构上的内容，那么MRAM的优势究竟有哪些呢?下面我们分几点一起来看看:首先，MRAM是非易失性存储器，也就是断电后MRAM依旧
2021-02-04
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NOR Flash市场规模增速喜人
NOR Flash和Nand Flash是目前两种主要的非易失闪存技术。Nand Flash具有容量大、单位容量成本低等特点是高数据存储密度的理想解决方案。
2021-02-03
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电机驱动MCU通用功能和技术点解析
电机驱动MCU技术要点它是电机控制器即动力输出。通俗点就是你要加速他让电机转得快一些，要刹车他能让电机转的慢一点。所以他有如下特点：
2021-02-01
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