Parrallel pSRAM
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伪静态随机存储器芯片(Psram)伪静态随机存储器芯片(Psram)

PSRAM采用的是1T+1C的技术,所以在体积上更小,
同时,PSRAM的I/O接口与SRAM相同.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。
比较于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。
由SPI、Quad SPI (QPI) 和Octal SPI (OPI)几种串行接口,用于需要小型化的场合,
能够提供带宽范围从100Mbps ~ 2.128Gbps的大范围。
winbond华邦代理商logo华邦核心产品包含闪存(Code Storage Flash Memory)、利基型动态随机存取内存(Specialty DRAM)及移动随机存取内存(Mobile DRAM),以下产品为PSRAM存储芯片,属于伪静态随机存储器芯片,内部为DRAM核心外加SRAM接口,产品的容量范围为1/4/8/16/32/64Mb,常用容量为32/64Mb,电压范围在1.8V/3.3V/5V.,我司可根据客户不同的产品需求推荐性价比高且实用的产品。可兼容替换ISSI/CYPRESS/Lyontek/Renesas等品牌同类别PSRAM产品。
Part No. Density Voltage Speed Temp. Organization PDF
W966D6HBG 64MB 1.8V 133MHz / 70ns -40~85℃ 4Mbit x16 CRAM 联系我们
W956D6HBC 64MB 1.8V 133MHz / 70ns -40~85℃ 4Mbit x16 CRAM-ADM 联系我们
W956D6KBK 64MB 1.8V 133MHz / 70ns -40~85℃ 4Mbit x16 CRAM-ADM 联系我们
W956K6HBC 32MB 1.8V 133MHz / 70ns -40~85℃ 2Mbit x16 CRAM-ADM 联系我们
W966K6HBG 32MB 1.8V 133MHz / 70ns -40~85℃ 2Mbit x16 CRAM 联系我们
MT45W1MW16PDGA-70 16M 1.7V--1.95V 70ns -40~85℃ -- 联系我们
MT45W1MW16BDGB-701 16M 1.7V--1.95V 70ns -40~85℃ -- 联系我们