cypress代理256Kbit串行FRAM FM25V02A-DG

赛普拉斯FM25V02A-DG是采用先进铁电工艺的256Kb非易失性存储器。FRAM是非易失性的，类似于RAM一样执行读写操作。它提供了151年的可靠数据保留，同时消除了由串行闪存，EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性，开销和系统级可靠性问题。封装引脚采用8引脚双扁平无引线（DFN）封装。cypress代理宇芯电子支持提供相关技术支持。
 
引脚排列
   
与串行闪存和EEPROM不同，FM25V02A-DG以总线速度执行写操作。没有写入延迟。每个字节成功传输到设备后，立即将数据写入存储器阵列。下一个总线周期可以开始而无需数据轮询。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有显着的写入耐久性。FM25V02A-DG能够支持1014个读/写周期，或比EEPROM多1亿倍的写周期。
 
这些功能使FM25V02A-DG非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用，例如数据记录（可能是关键的写入周期数）到要求严格的工业控制，而串行闪存或EEPROM的长时间写入会导致数据丢失。。
 
FM25V02A-DG为串行EEPROM或闪存用户提供了巨大的好处，可作为硬件的替代产品。FM25V02A-DG使用高速SPI总线，从而增强了FRAM技术的高速写入能力。该设备包含一个只读的设备ID，该ID允许主机确定制造商，产品密度和产品版本。器件规格在–40℃至+85℃的工业范围内得到保证。
 
特征
■逻辑组织为32K×8的256-Kbit铁电随机存取存储器（FRAM）
•高耐用性100万亿（1014）读/写
•151年数据保留
•NoDelay™写道
•先进的高可靠性铁电工艺
■非常快速的串行外围设备接口（SPI）
•高达40MHz的频率
•直接硬件替换串行闪存和EEPROM
•支持SPI模式0（0，0）和模式3（1，1）
■复杂的写保护方案
•使用写保护（WP）引脚的硬件保护
•使用禁止写入指令的软件保护
•适用于1/4、1/2或整个阵列的软件块保护
■低功耗
•在40MHz时有2.5mA有功电流
•150-μA待机电流
•8-μA睡眠模式电流
■低压操作：VDD=2.0V至3.6V
■工业温度：–40℃到+85℃
■引脚封装
•8引脚双扁平无引线（DFN）封装
■符合有害物质限制（RoHS）
 
逻辑框图