
ISSI专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品,用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。以下产品是DDR3 SDRAM,双信道三次同步动态存储器芯片。带有自动刷新模式,产品容量范围为1Gb~8Gb,工作电压范围为1.35~1.5V,提供BGA(96),BGA(78)两种封装形式。我司可根据客户不同的产品需求推荐性价比高且实用的产品。
型号 |
容量 |
位宽 |
类型 |
电压 |
Refsh |
速度 |
封装(Pins) |
PDF |
IS46TR16512AL |
8Gb |
512Mx16 |
DDR3 |
1.35V |
8K |
16001333 |
BGA(96) |
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IS46TR16512A |
8Gb |
512Mx16 |
DDR3 |
1.5V |
8K |
16001333 |
BGA(96) |
联系我们 |
IS43TR16512AL |
8Gb |
512Mx16 |
DDR3 |
1.35V |
8K |
186616001333 |
BGA(96) |
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IS43TR16512A |
8Gb |
512Mx16 |
DDR3 |
1.5V |
8K |
186616001333 |
BGA(96) |
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IS46TR16256AL |
4Gb |
256Mx16 |
DDR3 |
1.35V |
8K |
16001333 |
BGA(96) |
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IS46TR85120AL |
4Gb |
512Mx8 |
DDR3 |
1.35V |
8K |
16001333 |
BGA(78) |
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IS46TR16256A |
4Gb |
256Mx16 |
DDR3 |
1.5V |
8K |
16001333 |
BGA(96) |
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IS43TR16256AL |
4Gb |
256Mx16 |
DDR3 |
1.35V |
8K |
186616001333 |
BGA(96) |
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IS46TR85120A |
4Gb |
512Mx8 |
DDR3 |
1.5V |
8K |
16001333 |
BGA(78) |
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IS43TR85120AL |
4Gb |
512Mx8 |
DDR3 |
1.35V |
8K |
186616001333 |
BGA(78) |
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IS43TR16256A |
4Gb |
256Mx16 |
DDR3 |
1.5V |
8K |
2,133,186,616,001,330 |
BGA(96) |
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