DDR3 SDRAM
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双信道三次同步动态存储器芯片(DDR3 SDRAM)双信道三次同步动态存储器芯片(DDR3 SDRAM)

DDR3内存Prefetch提升至8 bit,即每次会存取8 bits为一组的数据。
DDR3传输速率介于 800~1600 MT/s之间。此外,
DDR3 的规格要求将电压控制在1.5V,较DDR2的1.8V更为省电。

issiISSI专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品,用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。以下产品是DDR3 SDRAM,双信道三次同步动态存储器芯片。带有自动刷新模式,产品容量范围为1Gb~8Gb,工作电压范围为1.35~1.5V,提供BGA(96),BGA(78)两种封装形式。我司可根据客户不同的产品需求推荐性价比高且实用的产品。
型号 容量 位宽 类型 电压 Refsh 速度 封装(Pins) PDF
IS46TR16512AL 8Gb 512Mx16 DDR3 1.35V 8K 16001333 BGA(96) 联系我们
IS46TR16512A 8Gb 512Mx16 DDR3 1.5V 8K 16001333 BGA(96) 联系我们
IS43TR16512AL 8Gb 512Mx16 DDR3 1.35V 8K 186616001333 BGA(96) 联系我们
IS43TR16512A 8Gb 512Mx16 DDR3 1.5V 8K 186616001333 BGA(96) 联系我们
IS46TR16256AL 4Gb 256Mx16 DDR3 1.35V 8K 16001333 BGA(96) 联系我们
IS46TR85120AL 4Gb 512Mx8 DDR3 1.35V 8K 16001333 BGA(78) 联系我们
IS46TR16256A 4Gb 256Mx16 DDR3 1.5V 8K 16001333 BGA(96) 联系我们
IS43TR16256AL 4Gb 256Mx16 DDR3 1.35V 8K 186616001333 BGA(96) 联系我们
IS46TR85120A 4Gb 512Mx8 DDR3 1.5V 8K 16001333 BGA(78) 联系我们
IS43TR85120AL 4Gb 512Mx8 DDR3 1.35V 8K 186616001333 BGA(78) 联系我们
IS43TR16256A 4Gb 256Mx16 DDR3 1.5V 8K 2,133,186,616,001,330 BGA(96) 联系我们