DDR3 SDRAM
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双信道三次同步动态存储器芯片(DDR3 SDRAM)双信道三次同步动态存储器芯片(DDR3 SDRAM)

DDR3内存Prefetch提升至8 bit,即每次会存取8 bits为一组的数据。
DDR3传输速率介于 800~1600 MT/s之间。此外,
DDR3 的规格要求将电压控制在1.5V,较DDR2的1.8V更为省电。

JSC是一家拥有全球竞争力的专业移动专业公司。自从开发用于移动电话的低功耗SRAM以来,JSC半导体公司成功开发了移动RAM(CellularRam)和LP DDR SDRAM等新产品。以下产品为Mobile SDRAM,属于低功耗同步动态随机存储器芯片,产品的容量范围为128Mb~512Mb,电压范围在1.7V~1.95V,速度在133/166/200MHz。我司可根据客户不同的产品需求推荐性价比高且实用的产品。
Part Number Capacity Organization Voltage Speed(MHz) Temperature Package PDF
JSR364G168NHR-LAI 4Gbit 256Mb x 16 1.35V DDR3-2133 Industrial 96FBGA 联系我们
JSR364G168NHR-LA 4Gbit 256Mb x 16 1.35V DDR3-2133 Consumer 96FBGA 联系我们
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JSR364G168NHR-L 4Gbit 256Mb x 16 1.35V DDR3-1866 Consumer 96FBGA 联系我们
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