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低功耗LPSRAM
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低功耗存储器芯片（LOW POWER SRAM）低功耗静态存储器（LOW POWER SRAM）

低功耗SRAM芯片作为静态随机存储器的一种类别；
特征为功耗低，速度快，一般容量在1/4/8/1616Mbit：
属于易失性存储芯片，掉电后数据会产生丢失：
主要应用于内置电池，并对功耗非常敏感的产品，如POS机，手持设备等：
netsol代理商logoNetsol 是一家位于韩国的无厂内存半导体设计公司，产品有异步快速SRAM、低功耗SRAM、同步SRAM、四重/DDR SRAM 和 SLC NAND Flash。以下产品为低功耗SRAM芯片，属于静态随机存储器芯片，产品的容量范围为1/4/8/16Mb，常用容量为8Mb，电压范围在1.8V/3.3V/5V.，部分器件有宽电压的电压范围，速度在44/55/75ns，大部分产品在选择速度时一般以55ns为主。我司可根据客户不同的产品需求推荐性价比高且实用的产品。
型号 容量 位宽 电压（V） C/S Option 存取时间 封装 PDF
S6L1016C2M 1Mbit 64Kx16 5 2 C/S 45/55/70ns 44TSOP2 48 FBGA 联系我们
S6L1008W2M 1Mbit 128Kx8 2.3~3.6 2 C/S 45/55/70ns 32 sTSOP1 32 TSOP1 联系我们
S6L1016W1M 1Mbit 64Kx16 2.3~3.6 1 C/S 45/55/70ns 44TSOP2 48 FBGA 联系我们
S6L1008C2M 1Mbit 128Kx8 5 2 C/S 45/55/70ns 32 sTSOP1 32 TSOP1 联系我们
S6L1016W2M 1Mbit 64Kx16 2.3~3.6 2 C/S 45/55/70ns 44TSOP2 48 FBGA 联系我们
S6L1008C1M 1Mbit 128Kx8 5 1 C/S 45/55/70ns 32 sTSOP1 32 TSOP1 联系我们
S6L2008W1M 2Mbit 256Kx8 2.3~3.6 1 C/S 45/55/70ns 32 sTSOP1 联系我们
S6L2016W2M 2Mbit 128Kx16 2.3~3.6 2 C/S 45/55/70ns 44TSOP2 48FBGA 联系我们
S6L2016W1M 2Mbit 128Kx16 2.3~3.6 1 C/S 45/55/70ns 44TSOP2 48 FBGA 联系我们
S6L1008W1M 1Mbit 128Kx8 2.3~3.6 1 C/S 45/55/70ns 32 sTSOP1 32 TSOP1 联系我们
S6L1016C1M 1Mbit 64Kx16 5 1 C/S 45/55/70ns 44TSOP2 48 FBGA 联系我们
S6L2008C1M 2Mbit 256Kx8 5 1 C/S 45/55/70ns 32 sTSOP1 联系我们